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材料科学 - 新闻和资源
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外延 - 一般信息
外延是由不同元素在衬底上沉积或生长原子级厚度晶体层以生成化合物半导体的过程。每个晶体层称为外延层。在衬底上生长外延层后，它称为外延片。
可以使用许多元素材料来生长外延层，例如镓、砷、铟、磷、氮、硅、锗、锑、铝和铍。当生长这些层时，称为“掺杂剂”的杂质选择性地进入到外延层中，从而改变了晶体的电学和光电性能。
材料组成、掺杂浓度、薄膜厚度和层数决定了晶体和化合物半导体器件的性能。
最常用的外延技术是分子束外延 (MBE) 和金属有机化学气相沉积 (MOCVD).大多数器件可以通过 MBE 或 MOCVD 来生长。某些较厚的外延层（>10mm），例如LED，适合使用 MOCVD 来生长。其他需要精确组分和厚度控制的结构（例如结构复杂的激光器）使用 MBE 生长较好。