NEXUS IBD 离子束沉积系统

适用于强偏磁层、含铅层、隔离层和传感器叠层沉积

通过 Veeco 的第三代 NEXUS® 离子束沉积 (IBD) 系统，数据存储生产商可以极大提高 80Gb/in² 传感器的产量，并能满足未来 TFMH 器件制造的要求。

• 支持各种器件（从当前的 CIP 到先进的 CPP 器件）
• 适用于 MRAM 应用以及 GMR 和 TMR 薄膜磁头
• 增强了对所有准直沉积应用的 CD 控制
• 通过沉积流柱对称到达，实现更锐利的出射角度
• 平台与 PVD、IBE 和其他技术轻松整合