NEXUS IBE-420i 离子束蚀刻系统

通过改进的 CD Sigma 控制，实现了较高的器件产量

通过 NEXUS IBE-420i™ 离子束蚀刻系统，可提高数据存储器件产量并可达到优异的均匀性。它提供的改进型 CD sigma 控制可应用于数据存储领域，使得新应用产品面市时间更快、安装速度更快、资产利用和经营成本更高效。

• 旨在满足更严格的蚀刻深度控制要求
• NEXUS 离子源提供卓越的 WIW 旋转和 3 维蚀刻一致性
• 在世界一流的 NEXUS 硬件和软件平台上很容易与常用技术集成
• NEXUS 离子源与增强控制系统组合，提供优异的 WTW 和 RTR 可重复性
• 可用于单集群和双集群配置
• 与现有 Veeco 器件网层集群前端反向兼容