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技术与产品
金属有机化学气相沉积系统(MOCVD )
TurboDisc MaxBright GaN MOCVD 多反应室系统
TurboDisc K475 As/P MOCVD 系统
特性和优势
TurboDisc K465i GaN MOCVD 系统
TurboDisc K465 GaN MOCVD 系统
TurboDisc E475 As/P MOCVD 系统
分子束外延 (MBE) 技术
MBE 组件
基板加热器
MBE 线性移动快门
气体源交付系统
磷回收系统
特性和优势
CBr4 气体流量控制系统
磷阀式裂解器温控器
阀门自动定位器
生长阶段定位器
UNI-Bulb RF 等离子源自动调节器
适用于 MBE 系统的生长控制和计划软件
结合 PID 温控器的直流电源
MBE 坩锅
MBE 热源式观测窗
MBE 源连接阀
MBE 系统电缆
UNI-Block MBE 基片承载器
氧压控制系统
MBE 源
高温
高温源
特性和优势
掺杂剂
特性和优势
掺杂源
低温气体源
低温
砷阀式裂解器
磷阀式裂解器
特性和优势
耐氨源
耐氧源
腐蚀性材料专用阀式裂解器
硒阀式裂解器
硫阀式裂解器
SUMO 源
双丝源
单丝源
中温
特性和优势
耐氨源
耐氧源
适用于镓和铟的热边 SUMO 源
适用于镓和铟的向下开口的 SUMO 源
适用于铝的冷边 SUMO 源
双丝源
单丝源
特性
特性和优势
适用于氧、氮和氢的 UNI-Bulb RF 等离子源
Atom-H 源
气体裂解器
低温气体源
MBE 系统
GEN10 MBE 系统
GEN200 Edge MBE 系统
特性和优势
GEN20 MBE 系统
GEN2000 Edge MBE 系统
GEN930 MBE 系统
GEN II MBE 系统
CIGS 热沉积源
热沉积源
光伏系列 CIGS 源
特性和优势
铜、铟和镓的光伏系列 CIGS SUMO 源
适用于硒的 PV 系列 CIGS 带阀源
离子束系统及离子源
离子束沉积
SPECTOR Loadlock IBD 系统
SPECTOR-HT IBD 系统
特性和优势
NEXUS LDD-IBD 离子束沉积系统
SPECTOR 大范围行星式离子束沉积(IBD)系统
SPECTOR 离子束沉积系统
NEXUS IBD 离子束沉积系统
离子束蚀刻
特性和优势
NEXUS IBE-350Si 离子束蚀刻系统
NEXUS IBE-420i 离子束蚀刻系统
NEXUS IBE-420Si 离子束蚀刻系统
NEXUS IBE-350Se 离子束蚀刻系统
离子源
无栅阳极层离子源
线性阳极层离子源
特性和优势
ALS 340
ALS 650
ALS 1000
ALS 1500
有栅 DC 离子源
3 厘米 DC (ITI) 离子源
特性和优势
3 厘米 DC (CSC) 离子源
5 厘米 DC 离子源
8 厘米 DC 离子源
11 厘米 DC 离子源
15 厘米 DC 离子源
21 厘米 DC 离子源
2.5 厘米 x 22 厘米 DC 离子源
6 厘米 x 30 厘米 DC 离子源
6 厘米 x 50 厘米 DC 离子源
SOLUS DC 离子源控制器
MPS3000 电源
MPS5001 电源
有栅 RF 离子源
特性和优势
3 厘米 RF 离子源
6 厘米 RF 离子源
12 厘米 RF 离子源
16 厘米 RF 离子源
16 厘米 RF 大功率
6 厘米 x 22 厘米 RF 离子源
6 厘米 x 66 厘米 RF 离子源
6 厘米 x 110 厘米 RF 离子源
RF2001 电源
无栅 End-Hall 离子源
特性和优势
Mark I+ 无栅离子源
Mark I 无栅离子源
Mark II 无栅离子源
Mark II 无栅高能离子源
Mark II+ 无栅离子源
Mark II+ 无栅高能离子源
Mark II+ 控制器
磁控管
特性和优势
圆柱磁控管
物理气相沉积系统
特性和优势
NEXUS TAMR PVD 系统
NEXUS PVD-1 系统
NEXUS PVD-HR 系统
NEXUS PVDi 系统
CYCLONE 物理气相沉积系统
类金钢石碳系统
特性和优势
NEXUS DLC 系统
化学气相沉积
NEXUS CVD 系统
特性和优势
研磨及切割系统
特性和优势
Optium ADS-800 高级切割系统
Optium ADS 160 高级切割系统
Optium ASL 200 切割系统
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2011 年 8 月，Manfra 教授主讲
 
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