离子束蚀刻

离子束蚀刻

NEXUS® 离子束蚀刻 (IBE) 系统拥有多种精密复杂的功能,可以大幅提高离散的微电子设备和组件的良率。

NEXUS IBE-350Si 离子束蚀刻系统

Veeco NEXUS IBE-350Si 离子束刻蚀系统可提供更好的工艺控制能力和更小的占地空间,并采用可现场升级的出色设计。

NEXUS IBE-350Se 离子束蚀刻系统

利用 Veeco 的 NEXUS® IBE-350Se™ 离子束刻蚀系统最大程度地提高 ABS 深腔加工和高刻蚀率应用的生产率。

Lancer 离子束蚀刻系统

独立的离子束蚀刻系统,具有较低的拥有成本和最高质量的蚀刻属性

NEXUS IBE-420i 离子束蚀刻系统

通过 NEXUS IBE-420i™ 离子束蚀刻系统可提高数据存储器件良率并获得出色均匀度。

NEXUS IBE-420Si 离子束蚀刻系统

使用 NEXUS® IBE-420Si™ 离子束蚀刻系统,可最大程度地增加滑片良率,实现优异的离子束蚀刻均匀度。