无栅 End-Hall 离子源

无栅 End-Hall 离子源

Veeco 的无栅 End-Hall 离子源可为真空镀膜工艺提供高束电流。

Mark II+ 无栅离子源

大幅度增大的射束电流和可拆卸阳极装置为 Mark II+ End-Hall 离子源增加了新的价值。

Mark II+ 控制器

借助 Mark II+ 离子源控制可最大化离子源性能、薄膜蚀刻、清洁及沉积均匀度。

Mark II+ 无栅高能离子源

Mark II+ 无栅高输出离子源设计为适合直径介于 70-130 厘米的加工室中的真空镀膜制程,适用于需要强电流、低能量离子的应用。

Mark I+ 无栅离子源

Veeco Mark I+ 无栅离子源可提高制程均匀度并防止基底受损。它可为真空镀膜制程提供高射束电流。