16 厘米高功率 RF 离子源


在离子辅助电子束 (IAD) 或溅射沉积应用领域具有最高性能

Veeco 宣布推出 16 厘米 RF 高功率 (HP) 离子源,在 120 厘米范围内其离子束均匀度 < 10%。非常适合于在反应性工艺(例如离子辅助电子束 (IAD) 或溅射沉积工艺)中使用。

  • 支持很宽的高功率操作范围:200 到 1500eV,200 到 1000mA 以上
  • 在惰性和氧化环境中均能实现可靠一致的操作
  • 改进了能量和电流的均匀度,从而提高了堆积密度和氧化率
  • 此外,还增强了化学计量控制并有助于生产更平滑的薄膜
  • 提供多种多样的网格组——采用多种接口有利于现有离子辅助沉积 (IAD)系统进行升级
  • 对于溅射沉积,可大幅提高沉积率
  • 确保提供高质量的薄膜和稳定的工艺操作

我们的团队随时准备提供帮助