• 延长了氧环境下的寿命
• SUMO 坩埚可用于实现最佳流量分配和最小耗竭效果
• 氧局部压力最高可达 5 毫托
• 温度最高可达 1150°C
• 已有超过 20 个投入现场应用

由于氧化物材料在集成电路工业中的重要性以及使用这些材料让各种电子和光学特性成为可能，近年来氧化物材料的研究有了很大提高。

由于氧的腐蚀性质，在氧气环境中进行薄膜的研究往往会带来设备挑战。例如，通常会在 10-5 托或以上的氧环境中热蒸发材料，同时将基底温度保持在 800°C。高氧气分压和温度大大缩减了源和基底加热器的加热元件的寿命。这样一来，设备的正常运行时间就会缩短，从而导致炉龄期缩短、维修成本增加。

采用不同于传统材料的钼、钽等耐氧材料，现在已经可以在高氧分压环境中操作 Veeco 的创新、可靠的源和基底加热器。Veeco 目前可为温度高达 1150°C、氧气分压高达 5 毫托的场合提供耐氧源。基底加热器还可用于温度达 800°C、氧气分压达 5 毫托的场合。