ALD 优势

ALD 优势

与其他方法相比,原子后期沉积法在薄膜沉积方面最显著的优势体现在四个方面:膜保形性、低温处理、化学测量控制以及与原子层沉积 (ALD)机制的自限性和自组装性有关的固有薄膜质量,ALD 特别适用于具有超高纵横比形貌的涂层表面,以及需要具有高质量界面技术的多层膜的表面。

适用于高度可控薄膜的原子层沉积 (ALD)

  • 基于自限的膜厚度,自组装行为,带纳米级控制

  • 多组分膜的化学测量控制

  • 在超大区域可扩展的薄膜/工艺

  • 卓越的可重复性

  • 宽工艺窗口(相对于温度或前体剂量变化)

  • 低缺陷密度

  • 根据基质和温度的非晶态或晶体膜类型

  • 多层涂层、异质结构、纳米氨酸盐、混合氧化物、分级索引层和掺杂的精细控制

  • 适用于氧化物、氮化物、金属和半导体的标准配方


沉积在硅沟槽中的 Cu2S/SnS2/ZnS 三层。在不同热退火后,SIMS 分析了 CZST 膜组合物的特性。
参考:Thimsen et al, Chemistry of Materials,24 (16), 3188-3196 (2013). doi:10.1021/cm3015463

适用于高度可控薄膜的原子层沉积 (ALD)

  • 卓越的保形性,100% 步进范围:在平坦、内部多孔以及颗粒样品周围形成均匀的涂层

  • 符合基质几何结构的原子级平滑涂层


在原子层沉积 (ALD) 中 300:1 AAO 纳米模板中沉积的 Li5.1TaOz 共形沉积(470:1 最终 AR)
参考:Liu, J. et al., J. Phys. Chem. C 117, 20260–20267 (2013).

用于挑战性基质的原子层沉积 (ALD)

  • 适用于敏感基质的温和沉积过程

  • 可能的低温沉积 (RT-800 °C)

  • 低功率等离子处理(低至 20-50W)功能

  • 聚合物、OLED 和贵金属表面上展示的涂层

  • 由于第一层的化学键,具有出色的粘附性

  • 分子自组装造成的低压力

Al2O3 – ZrO2 纳米层压板封装,在室温下水传输速率 (WVTR) 为 5E-7g/m2/天 – 在 80˚C 下沉积在 Savannah® 中
参考:Meyer, J., et al. (2009). Applied Physics Letters, 94(23), 233305