前端流程

与您合作提供最新的半导体前端工艺。

尽管对 5nm 和 3nm 技术节点的追求仍然继续,许多逻辑和存储器制造商都正在采取垂直方式来增加逻辑和内存的密度。我们将与您合作简化复杂的挑战。

化不可能为可能

通过堆叠电路层或电池制造 3D 晶体管和 3D 存储器需要独特的专业知识和放大的思维。它还需要专为精确度和准确性而设计的适宜前端工艺工具。通过密切的协作,我们可以为高性能、低功耗设备提供可持续的解决方案。

我们的团队随时准备提供帮助

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